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仪器设备 - 设备分组概况
图形发生更多>>
  • 主要用于微纳米结构和材料的高分辨率形貌表征;另外,其系统配置的X射线探测器可进行能谱分析,获得表面材料元素成分信息;并配备束闸和图形发生器,可以进行电子束光刻。
  • 可以实现Ion Beam milling以及GIS辅助沉积(主要为Pt沉积),主要应用于微小结构(百微米以下)加工,如光栅、Bowtie阵列等
  • 基本信息:2013年10月6300FS系统完成安装调试并开始运行。该系统使用矢量偏转的电子束扫描电子束胶表面,形成微米乃至纳米尺度的各种掩膜图
  • 基本情况:SUSSMA6光刻机是设计用于实验室研发,小批量生产的高分辨率光刻系统。该光刻机供了最好的基片适应性,可夹持不同厚度不同形状的
  • 此设备采用了专利的气压软压技术、IPS技术和STU技术,压印工艺可实现6英寸大面积小至50nm图案的复制和转移。
  • 无掩膜直写光刻设备基于先进的第二代光刻直写技术,通过空间光调制器扫描技术实现直写光刻。可应用于大规模集成电路的掩膜版制作、微纳加工、MEMS、LED、生物芯片等。
  • 通过投影成像方式,把掩模版上图形以高分辨率、高精度、高效率的方式分步重复曝光在涂有胶层的硅片表面 主要用于各种微纳米结构的图形转移。
材料刻蚀更多>>
  • 通过无水乙醇的催化作用,HF气体与SiO2反应生成可挥发产物SiF4和气态水,避免了液体表面张力对悬空微纳结构的影响,可用于SiO2牺牲层的释放,实现悬臂梁及其他悬空结构的释放刻蚀。
  • 型号: Oxford PlasmaPro NGP80 RIE技术指标:• RF功率:300 W 13 56MHz • 晶片尺寸:最大 6 英寸 • 反应气体: O2、Ar、
  • 通过电感耦合等离子体辉光放电分解反应气体,对样品表面进行物理轰击及化学反应生成挥发性气体,达到刻蚀目的。主要用于氧化硅、硅(高深宽比)、SOI、碳化硅等微纳米结构刻蚀。
  • 系统包含硅Si、氧化硅、氮化硅及金属湿法刻蚀台,可用于2-6英寸晶圆材料的微纳米结构的湿法刻蚀。手动将装有晶圆的花篮放入刻蚀槽进行反应,并可通过夹具进行单面刻蚀。
  • 通过在反应腔体内布置的电极之间产生辉光放电现象,使得工艺气体被电离成为带电等离子体,促进光刻胶与工艺气体的反应生成可挥发物质,主要用于去除光刻胶或材料表面改性处理。
  • 通过电感耦合等离子体辉光放电分解反应气体,对样品表面进行物理轰击以及化学反应生成挥发性气体,达到刻蚀目的。主要用于金属等微纳米结构刻蚀。
  • 通过电感耦合等离子体辉光放电生成活性基团,对样品表面没有掩膜保护的部分进行轰击以及化学反应生成挥发性气体,达到形成微纳米结构的目的。
薄膜制备更多>>
  • RTP 是一种升温速度非常快、保温时间很短的热处理方式。是半导体制造中的一道工艺,可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。
  • 设备通过等离子体增加前驱体的反应速率,降低反应温度,适合制备大面积、均匀性好、纯度高、结晶形态优良的高质量金刚石单晶及多晶薄膜。
  • 在高温条件下将工艺气体通入样品炉管中,借助气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。可用于微纳结构中抗腐蚀层及电子器件中SiOx、SiNx、Poly-Si等绝缘层的高温生长。
  • PECVD利用射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,促进气体发生化学反应,在表面形成固态薄膜。可用于微纳结构中抗腐蚀层和电子器件中的SiOx、SiNx等绝缘层低温生长。
  • 双离子束薄膜沉积系统,具有溅射靶材的主源聚焦离子束和作用于样品表面的辅助离子源。双离子束配合使用可有效提高薄膜质量与衬底之间的粘附里,获得晶粒更均匀、更致密的薄膜。
  • 通过将气相前驱源脉冲交替通入腔体,分别化学吸附在衬底上反应生成薄膜材料,利用表面控制和自限制性沉积原子层精度的超薄薄膜。
  • 高真空镀膜设备,具有良好的准直性,主要用于Lift-off工艺的金属纳米薄膜沉积。
  • 经过磁场偏转的高能量电子束对蒸发物料进行电子加热,蒸发材料挥发后沉积到样品表面,沉积形成薄膜材料。主要用于金属等纳米薄膜的沉积。
  • 型号:科特莱斯科LAB18用途:沉积多种金属、介质材料原理:氩原子电离后在电场的作用下,轰击靶材,将靶材元素沉积到样品表面。技术指标:
表征测试更多>>
  • 可以测量最大5层重叠薄膜的厚度和折射率; 可测量如氧化物,氮化物,光阻,导电玻璃,聚合物和半导体薄膜等透明或半透明薄膜。
  • 通过测量宽光谱内不同波长光束经过样品反射的偏振态变化,获得薄膜厚度信息及从深紫外到近红外的宽光谱材料光学特性。可进行高精度膜厚测量及分析未知组分的多层薄膜结构。
  • NeaSNOM是基于AFM系统的超高分辨光学显微成像系统。通过AFM探针针尖散射并收集样品的近场光学信号,获得纳米级分辨率(10 nm)的样品表面形貌和光场成像,分辨率与照明光源波长无关。
  • Name: BrukerStylusProfiler (Model: Dektak XT )名称:布鲁克台阶仪(型号:DektakXT )Workprinciple:TheDektak XT system take
  • 原子力显微镜利用原子 分子间的相互作用力来获得样品表面微观形貌的信息。
  • 配合探针台使用,主要用于材料研究、半导体器件设计、工艺开发或生产的复杂器件测试。
  • 探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路及封装的测试
  • 探针扫描样品表面,通过电容式传感器将探针机械变化量转化为电信号,从而表征样品的表面形貌。主要用于样品台阶测试,表面应力测试等。
  • 通过在样品表面喷镀碳 Au Pt等薄膜,解决非导电样品在电镜表征过程中由于表面电荷积累造成放电的现象。
  • 利用三束离子束对样品进行离子切割抛光,可获得高质量的原位微观形貌信息,可避免机械切割研磨带来的样品微观损伤,为电镜观测提供真实可靠的样品制备。
  • 主要用于微纳米结构和材料的高分辨率形貌表征;另外,其系统配置的X射线探测器可进行能谱分析,获得表面材料元素成分信息;并配备束闸和图形发生器,可以进行电子束光刻。
  • 此设备为紧凑型场发射扫描电镜,成像分辨率优于10nm。低加速电压成像,有效减少电荷累积,非导电样品,无须喷金喷碳处理,便可直接进行观察。
封装解析更多>>
  • 利用真空、力、热及电压的作用,对晶圆进行键合,主要形式包括阳极键合、共晶键合、热压键合等。可用于Si、薄膜、金属膜等材料的晶圆级键合。
  • 引线键合利用热、压力、超声波能量将细金属引线与芯片焊盘和基板紧密焊合,实现芯片与基板间的电气互联和芯片间的信息互通。主要有压焊和球焊两种功能。
  • 适用于高精微样品的半自动准备加工。主要性能包括平行抛光、精确角度抛光、定址抛光及多种方式结合的抛光。
  • 激光开封机用于将元器件解封,去除器件塑封材料,暴露出需要检测的芯片部分。
  • 根据程序设定的参数,对样品进行超纯水清洗、水气清洗,并进行氮气吹扫干燥。主要用于封装前晶圆、陶瓷、玻璃等样品划切后的清洗。
  • 利用高速旋转的金刚石砂轮刀片,对贴附在蓝膜或UV膜上的晶圆进行自动切割。主要用于封装前后的晶圆、陶瓷、玻璃等样品的高精度划切。
  • 将样品通过真空吸附固定,用尖端固定金刚石的划片刀进行划切,划片深度可调,可切割剥离、陶瓷、硅片等微电子常用材料,是适合科研及小规模生产的简易手动操作设备。
通用设备更多>>
  • 实现光刻工艺中光刻胶的旋转涂敷及烘烤
  • M205C光学显微镜是目前世界上唯一提供20 5:1的超高变倍比的体式显微镜,其独有的合成光学专利技术,能够把大景深和高分辨结合起来从而获得样品更丰富的信息。
  • DM4000光学显微镜具有透射和反射两种工作模式,能够快速准备的对样品进行光学表征,配合XYZ实时无缝拼接图像技术,能够对样品表面进行大面积的精细表征。
  • DM6000光学显微镜具有透射和反射两种工作模式,能够很好的对样品进行光学表征,配合高精度电动载物台以及高速XYZ实时无缝拼接图像技术,能够对样品表面进行大面积的精细表征。
  • DM8000M光学显微镜系统能够对不同尺寸,不同特征的光刻加工结构及掩膜进行快速观察和准确表征。配备有UV光源,放大倍数最大可达1500倍,配备0 7倍缩小镜,其视野可达40mm,适合大面积观测。
  • SC100-D显影系统是一种用于半导体显影和清洗的台面式设备,配备有一路低温显影液及两路常温显影液,自动化控制可保证显影工艺的稳定性和均匀性,适用于电子束光刻及紫外光刻的光刻显影
  • 该套清洗系统包含RCA清洗、SPM清洗及无机显影系统,设备采用手动方式将装有晶圆的花篮浸入清洗槽中清洗,并可通过夹具进行单面清洗。
  • 通风橱利用顶部低速抽风将实验过程中的有害有味气体顺利排出,减少实验者和有害气体的接触,保证实验安全可靠。
超净间概况更多>>
    采用“Bay-and-Chase”式洁净室结构,采用垂直式层流换气系统,可有效控制洁净度;配备专业的水处理系统,供应18.2MΩ超纯水;提供SiH4、NH3等22种特种气体供给及检测,可有效保障工艺及安全。中心配备柴发及UPS保障电力供给,配备专业的尾气及废液处理系统,保障洁净室排放达标。