主要功能：
可用于微纳结构中抗腐蚀层和电子器件中的SiO2，SiNx和Poly等绝缘层高温条件下的薄膜生长。
技术指标：
片内厚度均匀性： 3%
每一批次内的片间厚度重复性： 3%
不同批次之间的厚度重复性： 3%
晶片尺寸： 4寸
可实现的工艺温度范围： 400℃-
1100℃，三个温度区间的温度的准确性和
稳定性：±0.5℃
工艺气体： SiH4，NH3，SiH2Cl2，
PN2，H2，O2
沉积材料： SiO 2(干氧和湿氧)，
SiNx，Poly(多晶硅 )