主要功能：
PECVD利用射频使含有薄膜组成原
子的气体电离，在局部形成等离子体，
等离子体促进气体系列化学反应，在样
品表面形成固态薄膜。主要用于SiOx，
SiNx等绝缘层低温条件下的薄膜生长。
技术指标：
RF功率： 13.56 MHz
晶片尺寸： 6英寸
下电极加热： 400摄氏度
反应气体： 5%SiH 4/N 2、NH 3、
N2、N2O
沉积材料： SiOx、SiNx；
沉积均匀性： 3%