主要功能：

主要用于硅、SOI微纳米结构刻蚀，具有Bosch、Cryo、Mix-gas三种工艺，Bosch工艺可以实现选择比高、刻蚀速率快、侧壁粗糙度小的高深宽比刻蚀；Cryo工艺可通过液氮和氦背冷控制技术，把下电极的温度降低到零下150℃左右，同样可以实现各项异性刻蚀，其侧壁倾角可调控，侧壁粗糙度远优于Bosch刻蚀工艺。

技术指标：

ICP 功率：5 kWRF功率：300 WLF功率：300W

晶片尺寸：最大 6 英寸工艺温度：-150℃~110℃工艺气体：C4F8、SF6、O2、Ar

刻蚀材料：硅、SOI