主要功能：

主要用于硅、SOI、氧化硅、氮化硅等微纳米结构刻蚀，其中硅刻蚀又分为Bosch和Mix-gas两种工艺，可以分别实现高深宽比刻蚀和纳米结构浅刻蚀。

技术指标：

ICP 功率：5 kWRF功率：300 WLF功率：300W

晶片尺寸：最大 6 英寸工艺温度：0~60℃

工艺气体：C4F8、CHF3、SF6、O2、Ar刻蚀材料：硅、SOI、氧化硅、碳化硅