主要功能：

该设备主要用于金刚石材料的刻蚀，要求实现快速的、高选择比、高各项异性、低损伤的金刚石刻蚀。

技术指标：

ICP 离子源：3 kWRF功率：600 W

晶片尺寸：最大 6 英寸

工艺温度：-150℃到400℃

工艺气体：O2、Ar、Cl2、CHF3、SF6

刻蚀材料：金刚石