基本原理和应用：
ICPPECVD是一种借助感应耦合等离子技术的化学气相沉积设备，相比传统 PECVD 具有优良的等离子体特性，如高等离子体密度，沉积介质膜时低压强，离子能量能够独立控制等，所沉积的介质薄膜具有薄膜损伤少、击穿电压高、应力低、台阶覆盖性好、对衬底无损伤等优良特性。可以广泛应用于半导体、氧化物和有机衬底上快速和低温沉积氮化硅、氧化硅、非晶硅等功能材料。
设备技术指标：
• ICP功率：13.56MHz，最大1200W
• 晶片尺寸：最大8英寸
• 下电极加热：最高300摄氏度（带He背冷）
• 反应气体：5%SiH4/He、NH3、N2 、O2、Ar、H2；
• 沉积材料：SiOx、SiNx、a-Si；
• 沉积均匀性：3%
