主要功能：

主要用于SiC材料特殊结构加工以及压电、介质和三五族材料刻蚀需求。

技术指标：

• ICP离子源类型：平板螺旋天线式

• ICP 离子源功率：2000W

• RF功率：600 W     

• 晶片尺寸：最大8英寸 

• 工艺温度： -20~250℃

• 工艺气体： SF₆、CF₄、CHF₃、Ar、O₂、N₂、CH₄、H₂、SiC_l4、C_l2、BC_l3、HBr

• 刻蚀材料： SiC、LiNbO₃、GaAs、InP等