主要功能：

XeF₂干法蚀刻系统，主要用于在自支撑MEMS器件加工中，各项同性蚀刻硅牺牲层。

技术指标：

• 尺寸：兼容4寸样品。

• 刻蚀方式：脉冲式。

• 高刻蚀选择比：Si/SiO(热氧化）≥300:1。

• 高深宽比的硅材料也能实现各项同性刻蚀。

• 刻蚀速率：4寸裸硅片大面积刻蚀 ER≥30nm/min。

• 均一性：4寸裸硅片刻蚀均一性≤±10%。