主要功能：
通过投影成像方式，把掩模版上图形以高分辨率、高精度、高效率的方式分步重复曝光在涂有胶层的硅片表面。主要用于各种微纳米结构的图形转移。
技术指标：
分辨率： 0.45 μm
曝光波长： I线（365nm）
硅片尺寸： 6寸
掩膜尺寸： 6寸（6025）
像场尺寸： 22.5mm×22.5mm
套刻精度： |X|+3σ≤0.13μm
硅片对准系统： LSA/FIA