中文名:离子注入
英文名:Ion Implantation
所属机组:镀膜组
仪器型号:M56100-100/UM
房间:二楼离子注入
负责人:魏钰


主要功能
本设备可以进行低剂量和低能量的注入,在金刚石单晶衬底的浅表层注入离散的氮元素,借助退火工艺,可以制备NV色心,这在量子计算、量子传感等研究中具有重要的应用。
技术指标
最高离子能能量: 100keV
最低离子能量: 2keV
最低束流: 1E9 atoms/cm2
最大样品尺寸: 6 英寸
注入元素: 气体元素和金属元素
样品台移动和定位精度: ±10μm
真空度: 4×10-4Pa