主要功能：

可用于微纳结构中抗腐蚀层和电子器件中的SiO2，SiNx和Poly等绝缘层高温条件下的薄膜生长。

技术指标：
片内厚度均匀性：3%
每一批次内的片间厚度重复性：3%
不同批次之间的厚度重复性：3%
晶片尺寸：4寸
可实现的工艺温度范围：400℃-1100℃，

三个温度区间的温度的准确性和稳定性：±0.5℃
工艺气体：SiH₄，NH₃，SiH₂Cl₂，PN₂，H₂，O₂
沉积材料：SiO₂(干氧和湿氧)，SiNx，Poly(多晶硅 )