主要功能：
在低压环境下，将一种或者多种气态物质，用热能激发使其发生热分解或者化学反应，在衬底表面沉积薄膜。可用于退火、N型扩散掺杂、多晶硅和氧化硅沉积。
技术指标：
片内厚度均匀性： 5%
每一批次内的片间厚度重复 性： 5%
不同批次之间的厚度重复性： 5%
晶片尺寸： 4寸和6寸
可实现的工艺温度范围： 450℃-1100℃，三
个温度区间的温度的准确性和稳定性：+/-0.5℃
工艺气体： SiH4, PN2，O2，H2,Ar
工艺： SiO2(干氧)，Poly(多晶硅)，不同气体
氛围退火，N型扩散掺杂