主要功能：
经过磁场偏转的高能量电子束对蒸发物料进行电子加热，蒸发材料挥发后沉积到样品表面，沉积成薄膜材料。主要用于Lift-off工艺的金属纳米薄膜沉积。
技术指标：
电子束蒸发源： 8 kW　2MHz
晶片尺寸： 最大6英寸
极限真空度： 10-7 Torr
蒸发物料： Ti、Au
典型沉积速率： 0.1Å~10Å/s
沉积均匀性： 3%
样品台最大倾斜角度： ±45°