中文名:原子层沉积
英文名:ALD
所属机组:镀膜组
仪器型号:R-200
房间:一楼洁净间
负责人:魏钰


主要功能
用于沉积高质量、台阶覆盖性优异的纳米级薄膜,也可用于沉积抗粘附层。
技术指标
样品尺寸: 最大8寸
沉积脉冲周期: <2s(Al2O3)
工艺温度: <500℃
前驱源管路: 6套独立管路
前驱源: 三甲基铝、四氯化钛、
    四(甲乙胺基)铪、
    三二甲氨基硅烷、
沉积材料: 氧化硅、氧化铝、氮化钛等