主要功能：

金属有机物化学气相沉积技术（MOCVD)是以Ⅲ族元素的有机化合物和氨气或氧气等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

技术指标：

系统材料生长：氧化镓，铝镓氧，铟镓氧薄膜

反应温度：500-1000℃最大样品尺寸：2寸

生长速率：外延薄膜1-2um/h