主要功能：

主要用于金属、金属氧化物材料、 Ⅲ-Ⅴ族材料的微纳米结构刻蚀。

技术指标：

RF功率：600 WICP 离子源：3 kW

晶片尺寸：最大 4 英寸工艺温度：0~60℃

工艺气体：BCl3、Cl2、SiCl4、HBr、 SF6 、O2、 Ar、

刻蚀材料：Al 、 Cr、 Ti、 Au、Ni、TiN、Al2O3、LiNbO3、GaAs、GaO、GaN、SiC等