主要功能：

主要用于刻蚀硅、氧化硅、氮化硅、聚合物材料，形成微纳米结构。

技术指标：

RF功率：300W

晶片尺寸：最大6英寸

反应气体：CF4、CHF3、SF6、O2、Ar

刻蚀材料：硅、氧化硅、氮化硅、聚合物

均匀性：<±5%