品牌型号：维普光电 TORNADO 2000S

主要功能：

设备可用于晶圆和掩膜板表面各类缺陷及特征线宽的自动检测 ，以及基板和外延片颗粒与划痕的检测

技术指标：

检测模式：Die 2 DB /Die 2 Die/Golden Image

检测光源：460nm投射光+反射光

最小缺陷分辨率：350nm

样品尺寸：4 6 8 wafer，2.5 5 6 8 mask

检测精度：颗粒划痕 0.3um，特征线宽0.5um

线宽测量重复性：3σ范围满足≤8nm

套刻测量重复性：3σ范围满足≤6nm

最小可测量线宽：0.8um

检测速度：P350模式35 min/6 Mask

缺陷捕获率：100%

假缺陷数量：小于20个（D/B模式）

半穿透缺陷（Transmission Defect）的捕获能力：

        Pattern Dark On Clear ≤80%

        Pattern Clear On Dark ≥20%