中国科学技术大学微纳研究与制造中心的二次离子质谱目前已安装调试完毕，现投入试运行。
此台IMS-7F Auto型动态二次离子质谱是法国CAMECA公司的经典产品，主要用于真空兼容性的固体平面样品的元素分析，其氧源和铯源可以实现全元素的测量，冲击能可达15 keV，质量分辨率可高达20000，具有优越的元素检出限，具备同位素检测功能。配备的电子枪和液氮捕集器可以实现绝缘样品的测量与大气元素的测量。
设备主要功能
1．深度分析
一次束在一个微区内均匀扫描,把样品表面均匀地层层剥离,随着扫描时间的增加,溅射坑越来越深。探测特定元素二次离子产额随溅射时间的变化曲线,可以得到该元素在样品中的深度分布。
2．离子图像
采用聚焦一次离子束扫描样品表面，获得某种元素在样品微区中的分布图形，可实现亚微米解析度。图像中不同的浓度用不同颜色表示,非常直观。
部分样品测试数据
硅中注入砷的深度分析
硅中注入氢的深度分析
SiO2/Si的深度分析
SiTa网格的离子图像
主要应用
掺杂和杂质深度剖析、薄膜的组分测量、离子注入深度分析、轻质元素分析、器件失效分析等。
送样要求
用户需提供信息：样品基体材料、样品尺寸、待测元素、样品制备方式（掺杂/注入，大约浓度/注入剂量和能量）。
尺寸要求：标准样品尺寸为8 mm*8 mm（厚度小于等于2 mm），特殊尺寸需切割（大于标准尺寸）或定制模板（小于标准尺寸）。
材料要求：具有真空兼容性的固体平面样品（如硅片）；暂不接收GaAs、InP、AsB等基体材料含有As、P、B元素的样品测试；样品导电性良好，若导电性不佳需在表面镀30-50 nm Pt或者Au（可在中心代工）。
定量分析：仅对硅中离子注入As、B、P、H、C、N、O元素测量提供定量分析，若需其他定量分析需要提供标样。
开放方式
有测试需求的老师和同学可联系下方微信。试运行期间对于二次离子质谱实行特别优惠，欢迎广大师生送样。