基本原理和应用：

  该设备是采用金属钽周向加热，用金属钼和钽隔热屏隔热的立式高真空热处理真空炉。由加热室、进样室、真空系统、样品传递、加热电源及电气控制系统等组成。   主要用于处理半导体等所需的高真空条件下的退火要求。

技术指标：

• 工作区尺寸：Φ40mm×50mm

• 加热功率： 3kW

• 最高温度： 1550℃

• 工作加热温度：≤1500℃（连续＞10h）• 极限真空度：5×10-7Pa• 工作真空度： 1300℃状态下优于1×10-5Pa

• 升温速率：空炉由室温升至1200℃时小于60min

• 温控精度：≤±1℃

• 压升率：0.2Pa/h(热处理室)