基本原理和应用：

  双离子束薄膜沉积系统，具有溅射靶材的主源聚焦离子束和作用于样品表面的辅助离子源。双离子束配合使用可有效提高薄膜与衬底之间的附着力，获得晶粒更均匀、间隙更小的致密薄膜。IBSD具有广泛的材料适用性，可用于溅射沉积各种金属、合金、化合物及半导体材料的单层薄膜、多层薄膜。

设备技术指标：

•主离子源型号：RFICP100(聚焦型)

•主源束流使用范围： 50-90 mA

•样品尺寸：最大4英寸

•靶材：SiO₂、TiO₂等

•气路：Ar，O₂；

•均匀性：≤5%。