基本原理和应用：

  无掩膜光刻系统是利用计算机生成数字掩模图形并输出到声波光学调节器（AOM），通过声波光学扫描器和反射镜，照射到光学投影系统，投影到晶圆或掩模板表面相对应的成像位置，通过计算机控制高精度、强度可变的激光束对基片表面的抗蚀材料实施可变剂量曝光，直接曝光写出所设计的图形，显影后在抗蚀层表面形成所要求的图形。

  可应用于大规模集成电路用掩膜版制作、微纳加工、MEMS、LED、生物芯片等。

设备技术指标：

•工作波长：405 nm

• 激光功率：最大300mW

• 分辨率：0.3 μm

• 对准精度：正面0.1μm（1mm图形范围内)，背面1um(2.5寸)

• 扫描速度：3-150 mm²/min

• 样品尺寸：最大 8英寸

• 具有灰度曝光功能