主要功能：

设备采用大口径离子源，可产生低散角和高束流密度的均匀离子束，通过物理溅射实现刻蚀，方向性很强，具有极高的刻蚀分辨率。离子束刻蚀无加工材料限制，适用于介质、化合物半导体、非挥发性金属、铁电等材料。广泛应用于微波射频器件、MEMS器件、光电类器件的精细图形刻蚀。

技术指标：

• RF功率：1000W

•卡具面内360°旋转，转速0～20prm可调

• -90°～80°倾斜可调

• 晶片尺寸：最大6英寸

• 工艺温度： 7℃～80℃

• 工艺气体：Ar、CF₄、CHF₃、SF₆、O₂、N₂

 

SiO2 etch 斜齿角度60°±3°

Si etch 闪耀角26° 反闪耀角63°

LN etch＞80°侧壁角度，2nm底面粗糙度

Au etch＞80°侧壁角度