主要功能：

聚焦离子束系统，利用经过聚焦的Ga离子束斑在样品上扫描，具有一定动能的Ga离子可以对样品进行刻蚀，形成纳米级的图形结构；搭配气体注入系统，可进行微区镀膜。与扫描电子显微镜集成、搭配各种探测器、微纳操纵仪，聚焦离子束系统已经集微区成像、加工、分析、操纵于一体的功能强大的综合型加工与表征设备。其主要用途包括金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上微纳结构加工，高质量定点透射电镜制样，半导体电路修补、光刻掩模版修复，化学和晶体结构三维分析。本系统配置TOFSIMS探测器，可对元素表面及深度分布进行表征，可分析H、Li等轻质元素。

技术指标：

电子束成像分辨率：≤0.9nm@15kV，SE；

离子束成像分辨率：≤ 3.0nm@30kV;

束流强度范围：1pA-100nA

探测器：镜筒内SE，样品仓SE，镜筒内ESB探测器;

配置两路沉积气体（Pt和C）;

配置纳米机械手臂，可进行TEM样品制备；

配置TOFSIMS探测器，质谱范围：1-500m/z，质谱分辨率＞500m/Dm，检测极限≤4.2ppm，横向分辨率≤35nm，纵深分辨率≤20nm，具备元素面分布分析功能